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IXFH35N30中文资料

IXFH35N30图片

IXFH35N30外观图

  • 大小:168.12KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:HIPERFET Power MOSFTETs
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4800pF @ 25V
  • 功率 - 最大:300W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247AD
  • 包装:管件

IXFH35N30供应商

更新时间:2023-01-02 10:50:59
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